什么是CMP化学机械抛光

化学机械抛光通常称为 CMP (Chemical Mechanical Polishing)。这个过程是晶圆表面用含有磨料的CMP浆料进行化学机械抛光，这些抛光液一般含有活性化学制剂。

为什么叫化学机械抛光？因为整个抛光过程中，机械抛光和化学腐蚀同时起作用，抛光作用部分是机械研磨的，部分是化学腐蚀的。化学作用腐蚀晶圆表面，然后通过抛光设备向被抛元件施加机械压力，机械研磨带走腐蚀的表面材料，从而提高材料去除率。根据被抛光材料的特性，新创纳会量身定做各种cmp抛光液。

化学机械抛光应用

新创纳生产的CMP化学机械抛光液用途广泛，专为精度要求高、表面质量至关重要的抛光应用而设计。

我们CMP抛光液可根据客户不同的抛光垫、抛光机等定制，个性化的满足您的特殊需求。

可使用 CMP 抛光的具体应用领域主要包括：

硅片抛光Cmp

金属表面抛光，包括不锈钢抛光、铝板铝合金抛光

氮氧化硅、氧化物的抛光

蓝宝石SA、氮化镓GaN和碳化硅SiC晶圆的抛光

LED芯片的背面减薄抛光

LT钽酸锂(LiTaO3)的抛光

氧化铝抛光液

化学机械抛光解决方案

新创纳的化学机械抛光液可为最大直径达 300mm 的晶圆提供纳米级材料去除功能，并可用于目前设备制造过程中使用的各种晶圆/基板材料。

它们达到CMP化学机械抛光的行业控制和去除标准，并产生较好的表面质量（0/0 scratch dig），通过工艺改进，还可以达到Ra亚纳米水平。

我们的CMP化学机械抛光的进一步功能和优势包括：

抛光过程中的工艺调节

处理超硬材料和软材料

适合各种晶圆尺寸

可用的高向下负载设置

后压力设置，以获得更好的结果

根据实时监控的抛光效果调节抛光工艺